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MB85RC1MTPNF-G-JNERE1 与
CESD5V0AP、LGSOT05CLT1G、RLST23A052V 的区别
制造商：FUJITSU 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：JSCJ 最优价格：￥0.17017 查看详情 查看数据资料 | 制造商：LRC 最优价格：￥0.06720 查看详情 查看数据资料 | 制造商：RUILON 最优价格：￥0.30789 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel | Tape/Reel |
| 存取时间 | 130ns | - | - | - |
| 存储容量 | 1Mb | - | - | - |
| 工作电压（范围） | 3.6V | - | - | - |
| 接口类型 | I2C | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | SOP8_150MIL | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 最大时钟频率 | 3.4MHz | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 技术 | FRAM（铁电体RAM） | - | - | - |
| 原始制造商 | Fujitsu Limited | JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH. | Leshan Radio Co., Ltd. | Shenzhen Ruilongyuan Electronics Co., Ltd. |
| 存储器格式 | FRAM | - | - | - |
| 元件生命周期 | Active | Active | Active | Active |
| 品牌 | FUJITSU | JCET | LRC | Ruilon |
| 引脚数 | 8Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 高度 | 1.55mm | 1.15mm | 1.11mm | 1.12mm |
| 长x宽/尺寸 | 5.05 x 3.90mm | 3.00 x 1.40mm | 3.04 x 1.40mm | 2.90 x 1.30mm |
| 原产国家 | Japan | China | China | China |
| 存储器类型 | 非易失 | - | - | - |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | +150℃(TJ) | -40℃~+125℃ | -55℃~+125℃ |
| 最小包装 | 1500pcs | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 峰值脉冲电流（Ipp） | - | 13A | 17A | 10A |
| 额定电压-DC | - | 5V | - | 5V |
| 极性 | - | 单向 | 单向 | 单向 |
| 击穿电压 -min | - | 6.2V | 6V | 6V |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | - |
| 击穿电压Max | - | 7.3V | - | - |
| 功率-峰值脉冲 | - | 170W | 300W | 350W |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 反向断态电压 | - | 5V | 5V | 5V |
| 电源电压 | - | 5V | - | 5V |
| 通道数 | - | 2 | 2 | 2 |
| 钳位电压 | - | 13V | 9.8V | 10V |
| 击穿电压 | - | - | 6V | - |
| 反向漏电流 IR | - | - | 5μA | 10μA |
| 类型 | - | - | ESD | ESD |
| 认证信息 | - | - | RoHS | - |
| 结电容 | - | - | - | 220pF@1MHz |
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