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AO6408 与
VB7322、ZXMN3A03E6TA 的区别
制造商：AOS 最优价格：￥ 查看详情 | 制造商：VBsemi 最优价格：￥0.77970 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥8.84450 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel | |
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | SC74,SOT457 | TSOP-6 | SOT26 | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | 30V | 30V | |
| 连续漏极电流 | 8.8A | 5.5A | 4.6A | |
| 阈值电压 | 1V@250µA | 1.5V@250µA | 1V | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 18毫欧@8.8A，10V | 27mΩ | 50mΩ@10V,7.8A | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | No | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | 1（无限） | |
| 系列 | - | - | - | |
| 功率耗散 | 2W | 1.3W | 1.1W | |
| 零件状态 | 过期 | Active | Active | |
| 输入电容 | 2.2nF@10V | 424pF | 600pF | |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | |
| 漏极电流 | - | 6A | - | |
| 栅极电荷(Qg) | - | 13nC | - | |
| 配置 | - | 单路 | - | |
| 高度 | - | 1.10mm | 1.15mm | |
| 长x宽/尺寸 | - | 3.05 x 1.65mm | 3.00 x 1.60mm | |
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 充电电量 | - | 4.2nC | 12.6nC | |
| 反向传输电容Crss | - | 42pF | - | |
| 击穿电压 | - | 30V | 30V | |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | |
| 原产国家 | - | China Taiwan | America | |
| 品牌 | - | VBsemi | DIODES | |
| 原始制造商 | - | VBsemi Electronics Co. Ltd | Diodes Incorporated | |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | |
| 引脚数 | - | 6Pin | 6Pin | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 4.5V，10V | |
| 类型 | - | - | 1个N沟道 | |
| 制造商标准提前期 | - | - | 10 周 | |
| 额定功率 | - | - | 1.1W | |
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