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    LM258DR2GLM258DR 的区别

    LM258DR2G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.32256

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    LM258DR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.38081

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    ECCN编码
    输出电流40mA40mA
    封装/外壳SOIC-8SOIC-8
    安装类型SMTSMT
    电源电压,单/双(±)3V~32V,±1.5V~±16V3V~32V,±1.5V~16V
    工作温度-25℃~+85℃-25℃~+85℃
    每个通道的输出电流40mA30mA
    工作电流1.5mA1mA
    输入失调电压(Vos)5mV3mV
    输入偏置电流45nA20nA
    增益带宽积(GBP)1MHz700KHz
    包装Tape/ReelTape/Reel
    共模抑制比 - CMRR85dB80dB
    最小包装2500pcs2500pcs
    引脚数8Pin8Pin
    原产国家AmericaAmerica
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Texas Instruments Incorporated
    放大器类型通用通用
    通道数22
    电源电压32V3V~30V
    品牌ONTI
    元件生命周期ActiveActive
    高度1.75mm1.75mm
    压摆率-300mV/μs
    脚间距-1.27mm
    存储温度--65~+150℃
    输入失调电压温漂(Vos TC)-7uV/℃
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