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    BCP5616QTCBCP5616QTA 的区别

    BCP5616QTC

    制造商:DIODES

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    BCP5616QTA

    制造商:DIODES

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    ECCN编码
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃
    安装类型SMTSMT
    晶体管类型NPNNPN
    集射极击穿电压Vce(Max)80V80V
    跃迁频率150MHz150MHz
    封装/外壳TO261-4SOT-223-3
    集电极截止电流 (Icbo)100nA100nA
    原始制造商Diodes IncorporatedDiodes Incorporated
    集电极电流 Ic1A1A
    额定功率2W2W
    基本产品编号BCP5616-
    DC电流增益(hFE)-100~250
    包装-Tape/reel
    Vce饱和压降-500mV
    引脚数-3Pin
    高度-1.65mm
    是否无铅-Yes
    长x宽/尺寸-6.50 x 3.50mm
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V
    集电极-基极电压(VCBO)-100V
    零件状态-Active
    存储温度--65℃~+150℃
    功率耗散-2W
    原产国家-America
    系列--
    品牌-DIODES
    元件生命周期-Active
    制造商标准提前期-10 周
    集电极-发射极电压 VCEO-80V
    极性-NPN
    特征频率(fT)-100MHz
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)
    最小包装-1000pcs
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