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    BAV20WS-7-FFQD18N20V2TM、RCD100N20TL、STD25NF20 的区别

    BAV20WS-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12100

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    FQD18N20V2TM

    制造商:ON

    最优价格:¥5.56316

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    RCD100N20TL

    制造商:ROHM

    最优价格:

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    STD25NF20

    制造商:ST

    最优价格:¥6.67440

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    平均整流电流250mA---
    反向耐压VR106V---
    反向恢复时间(trr)50ns---
    反向漏电流IR100nA---
    封装/外壳SOD-323TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    工作温度-65℃~+150℃-55℃~+150℃+150℃-55℃~+175℃
    速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度 ---
    正向压降VF1.25V---
    二极管类型标准---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    工作温度-结-65°C~150°C---
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 带卷(TR) 剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    功率耗散(最大值)200mW---
    二极管配置单路---
    反向峰值电压(最大值)200V---
    长x宽/尺寸1.70 x 1.30mm---
    是否无铅NoYesYesYes
    品牌DIODES---
    系列BAV19WS - BAV21WSQFET®-STripFET™
    总电容C5pF---
    应用汽车---
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)3A---
    反向击穿电压200V---
    存储温度-65~+150℃---
    引脚数2Pin---
    认证信息AEC-Q101, RoHS---
    原产国家America---
    原始制造商Diodes Incorporated---
    正向压降VF Max1V---
    最小包装3000pcs---
    高度1.10mm---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    阈值电压-5V@250µA5.25V@1mA4V@250µA
    FET功能----
    Vgs(Max)-±30V-±20V
    漏源电压(Vdss)-200V200V200V
    连续漏极电流-15A10A18A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V-10V
    制造商标准提前期-6 周17 周26 周
    类型-1个N沟道-1个N沟道
    功率耗散-2.5W,83W850mW,20W110W
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-140mΩ@7.5A,10V182毫欧@5A,10V125mΩ@10V,10A
    额定功率-2.5W,83W-110W
    极性-N-沟道-N-沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    输入电容-1.08nF@25V1.4nF@25V940pF@25V
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