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    BAV20WS-7-FSTD25NF20、SUD19N20-90-E3、FQD18N20V2TM 的区别

    BAV20WS-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.12100

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    STD25NF20

    制造商:ST

    最优价格:¥6.67440

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    SUD19N20-90-E3

    制造商:Vishay

    最优价格:¥5.34600

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    FQD18N20V2TM

    制造商:ON

    最优价格:¥5.56316

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    ECCN编码
    二极管类型标准---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    工作温度-结-65°C~150°C---
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 剪切带(CT) ,带卷(TR) 剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    功率耗散(最大值)200mW---
    二极管配置单路---
    反向峰值电压(最大值)200V---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    平均整流电流250mA---
    反向耐压VR106V---
    反向恢复时间(trr)50ns---
    反向漏电流IR100nA---
    封装/外壳SOD-323TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)TO-252(DPAK)
    工作温度-65℃~+150℃-55℃~+175℃-55℃~+175℃-55℃~+150℃
    速度小信号 =< 200mA(Io),任意速度 ---
    正向压降VF1.25V---
    引脚数2Pin---
    认证信息AEC-Q101, RoHS---
    原产国家America---
    原始制造商Diodes Incorporated---
    最小包装3000pcs---
    正向压降VF Max1V---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    高度1.10mm---
    是否无铅NoYesYesYes
    长x宽/尺寸1.70 x 1.30mm---
    品牌DIODES---
    系列BAV19WS - BAV21WSSTripFET™TrenchFET®QFET®
    总电容C5pF---
    应用汽车---
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)3A---
    反向击穿电压200V---
    存储温度-65~+150℃---
    Vgs(Max)-±20V±20V±30V
    漏源电压(Vdss)-200V200V200V
    连续漏极电流-18A19A15A
    阈值电压-4V@250µA4V@250µA5V@250µA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-125mΩ@10V,10A90mΩ@10V,5A140mΩ@7.5A,10V
    额定功率-110W3W,136W2.5W,83W
    输入电容-940pF@25V1.8nF@25V1.08nF@25V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-10V6V,10V10V
    功率耗散-110W3W,136W2.5W,83W
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    制造商标准提前期-26 周19 周6 周
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