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    BC857CLT3GBC857CLT1G、BC857C_R1_00001 的区别

    BC857CLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10308

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    BC857C_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.07800

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳SOT23-3SOT-23SOT-23
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    工作温度--55℃~+150℃-50℃~+150℃
    包装-Tape/reel-
    DC电流增益(hFE)-420~800420~800
    跃迁频率-100MHz-
    Vce饱和压降-650mV-
    配置-单路-
    集射极击穿电压Vce(Max)-45V45V
    晶体管类型-PNPPNP
    印字代码-3G-
    原始制造商-ON Semiconductor-
    是否无铅-YesYes
    最小包装-3000pcs-
    高度-1.00mm1.10mm
    制造商标准提前期-8 周-
    存储温度--55℃~+150℃-50℃~+150℃
    功率耗散-300mW330mW
    集电极截止电流 (Icbo)-15nA(ICBO)-
    发射极与基极之间电压 VEBO-5V-
    系列--BC857
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)-50V-
    零件状态-ActiveActive
    集电极电流 Ic-100mA100mA
    极性-PNP-
    特征频率(fT)-100MHz200MHz
    品牌-ONPANJIT
    额定功率-300mW330mW
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO-45V-
    引脚数-3Pin3Pin
    原产国家-AmericaChina Taiwan
    元件生命周期--Active
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