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    BC857C-7-FBC857CLT3G、BC857CLT1G 的区别

    BC857C-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17804

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    BC857CLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10308

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳SOT23-3SOT23-3SOT-23
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    跃迁频率--100MHz
    Vce饱和压降--650mV
    配置--单路
    集射极击穿电压Vce(Max)--45V
    晶体管类型--PNP
    工作温度---55℃~+150℃
    包装--Tape/reel
    DC电流增益(hFE)--420~800
    集电极-基极电压(VCBO)--50V
    零件状态--Active
    集电极电流 Ic--100mA
    极性--PNP
    特征频率(fT)--100MHz
    品牌--ON
    额定功率--300mW
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V
    引脚数--3Pin
    原产国家--America
    印字代码--3G
    原始制造商--ON Semiconductor
    是否无铅--Yes
    最小包装--3000pcs
    高度--1.00mm
    制造商标准提前期--8 周
    存储温度---55℃~+150℃
    功率耗散--300mW
    集电极截止电流 (Icbo)--15nA(ICBO)
    发射极与基极之间电压 VEBO--5V
    系列---
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))--45V
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