BC857CLT1G 与
BC857C_R1_00001、BC857C-TP 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 45V | 45V | 45V | |
| 晶体管类型 | PNP | PNP | PNP | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -50℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT346 | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 包装 | Tape/reel | - | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | |
| DC电流增益(hFE) | 420~800 | 420~800 | 420 | |
| 跃迁频率 | 100MHz | - | 200MHz | |
| Vce饱和压降 | 650mV | - | 650mV | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 极性 | PNP | - | - | |
| 特征频率(fT) | 100MHz | 200MHz | 200MHz | |
| 品牌 | ON | PANJIT | - | |
| 额定功率 | 300mW | 330mW | 310mW | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | 1(无限) | |
| 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | 45V | - | - | |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | - | |
| 原产国家 | America | China Taiwan | - | |
| 印字代码 | 3G | - | - | |
| 原始制造商 | ON Semiconductor | - | - | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | |
| 高度 | 1.00mm | 1.10mm | - | |
| 长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.65mm | - | |
| 制造商标准提前期 | 8 周 | - | 8 周 | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | -50℃~+150℃ | - | |
| 功率耗散 | 300mW | 330mW | 310mW | |
| 集电极截止电流 (Icbo) | 15nA(ICBO) | - | 15nA | |
| 发射极与基极之间电压 VEBO | 5V | - | - | |
| 系列 | - | BC857 | - | |
| 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)) | 45V | 45V | 250mV@100mA,5mA | |
| 集电极-基极电压(VCBO) | 50V | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 集电极电流 Ic | 100mA | 100mA | 100mA | |
| 元件生命周期 | - | Active | - | |
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