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2N7002K-T1-GE3 与
SN74AUP1G14DCKT、SN74AUP1G14DCKRG4 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 阈值电压 | 2.5V@250µA | - | - | |
| 栅极电荷(Qg) | 0.6nC | - | - | |
| 连续漏极电流 | 300mA | - | - | |
| 配置 | 单路 | - | - | |
| 晶体管类型 | N沟道 | - | - | |
| 包装 | Tape/reel | - | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | - | - | |
| 封装/外壳 | SOT-23 | SC-70-5 | SC-70-5 | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -40℃~+85℃ | - | |
| FET功能 | - | - | - | |
| Vgs(Max) | ±20V | - | - | |
| 漏极电流 | 300mA | - | - | |
| 额定功率 | 350mW | - | - | |
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | - | - | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,500mA | - | - | |
| 功率耗散 | 350mW | - | - | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | - | - | |
| 品牌 | Vishay | TI | - | |
| 最小包装 | 3000pcs | - | - | |
| 极性 | N-沟道 | - | - | |
| 脚间距 | 1.9mm | - | - | |
| 技术路线 | - | - | - | |
| 击穿电压 | 60V | - | - | |
| 零件状态 | Active | Active | - | |
| 反向传输电容Crss | 2.5pF | - | - | |
| 充电电量 | 0.4nC | - | - | |
| 系列 | TrenchFET® | 74AUP | - | |
| 存储温度 | -55℃~+150℃ | - | - | |
| 制造商标准提前期 | 15 周 | - | - | |
| 长x宽/尺寸 | 3.04 x 1.40mm | 2.00 x 1.25mm | 2.00 x 1.25mm | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | - | - | |
| 高度 | 1.12mm | 0.90mm | 0.90mm | |
| 是否无铅 | Yes | - | - | |
| 引脚数 | 3Pin | 5Pin | 5Pin | |
| 元件生命周期 | Active | - | - | |
| 原产国家 | America | - | - | |
| 原始制造商 | Vishay Intertechnology, Inc. | Texas Instruments Incorporated | - | |
| 认证信息 | RoHS, HF(halogen free), | - | - | |
| 应用 | Consumer | - | - | |
| 输入电容 | 30pF | - | - | |
| 类型 | 1个N沟道 | Inverter | - | |
| 应用等级 | Consumer | - | - | |
| 输入数 | - | 1 | - | |
| 静态电流 | - | 500nA | - | |
| 特性 | - | 施密特触发器 | - | |
| 高电平范围 | - | 600mV~2.29V | - | |
| 低电平范围 | - | 100mV~880mV | - | |
| 电源电压 | - | 0.8V~3.6V | - | |
| 输入类型 | - | 施密特触发器 | - | |
| 输出电流 | - | 4mA | - | |
| 电路数 | - | 1 | - | |
| 通道数 | - | 1 | - | |
| 延迟时间 | - | 6.2ns | - | |
| 电源电流 | - | 500nA | - | |
| 拉电流(IOH) | - | 4mA | - | |
| 灌电流(IOL) | - | 4mA | - | |
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