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NCE6075K 与
的区别
制造商：NCE 最优价格：￥1.23648 查看详情 查看数据资料 | ||||
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | N沟道 | |||
| 漏极电流 | 1uA | |||
| Vgs(Max) | 20V | |||
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | |||
| 安装类型 | SMT | |||
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |||
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |||
| 配置 | 单路 | |||
| 阈值电压 | 4V | |||
| 栅极电荷(Qg) | 50nC | |||
| 包装 | Tape/reel | |||
| 连续漏极电流 | 75A | |||
| 类型 | 1个N沟道 | |||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11.5mΩ@10V,30A | |||
| 引脚数 | 3Pin | |||
| 零件状态 | Active | |||
| 充电电量 | 50nC | |||
| 栅极源极击穿电压 | ±20V | |||
| 额定功率 | 110W | |||
| 击穿电压 | 60V | |||
| 输入电容 | 2.35nF | |||
| 长x宽/尺寸 | 6.70 x 6.20mm | |||
| 最小包装 | 2500pcs | |||
| 品牌 | NCE | |||
| 极性 | N-沟道 | |||
| 原产国家 | China | |||
| 反向传输电容Crss | 205pF | |||
| 存储温度 | -55℃~+175℃ | |||
| 功率耗散 | 110W | |||
| 元件生命周期 | Active | |||
| 高度 | 2.40mm | |||
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