制造商:ST 最优价格:¥1.68300 查看详情 查看数据资料 | 制造商:PDW 最优价格:¥0.05300 查看详情 查看数据资料 | |||
ECCN编码 | ||||
阈值电压 | 4V@250µA | - | ||
漏源电压(Vdss) | 60V | - | ||
栅极电荷(Qg) | 42nC | - | ||
FET功能 | - | - | ||
封装/外壳 | PowerFlat™8 | SOD-523(SC-79) | ||
工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+125℃ | ||
连续漏极电流 | 130A | - | ||
晶体管类型 | N沟道 | - | ||
包装 | Tape/reel | Tape/Reel | ||
安装类型 | SMT | SMT | ||
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.5毫欧@13A,10V | - | ||
功率耗散 | 125W | - | ||
最小包装 | 3000pcs | 3000pcs | ||
长x宽/尺寸 | 6.15 x 5.20mm | 1.30 x 0.85mm | ||
元件生命周期 | Active | Active | ||
原始制造商 | STMicroelectronics | Jiangsu xingeno Electronic Technology Co., Ltd | ||
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | - | ||
原产国家 | Switzerland | China | ||
栅极源极击穿电压 | ±20V | - | ||
引脚数 | 8Pin | 2Pin | ||
技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | - | ||
高度 | 1.00mm | 0.77mm | ||
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | - | ||
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 3.5mΩ@13A,10V | - | ||
额定功率 | 4.8W,125W | - | ||
系列 | STripFET™F7 | - | ||
类型 | 1个N沟道 | - | ||
输入电容 | 2.6nF@25V | - | ||
零件状态 | Active | Active | ||
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | - | ||
品牌 | ST | PDW | ||
制造商标准提前期 | 22 周 | - | ||
极性 | N-沟道 | 单向 | ||
击穿电压 -min | - | 3.5V | ||
峰值脉冲电流(Ipp) | - | 15A | ||
结电容 | - | 20pF | ||
钳位电压 | - | 10V | ||
功率-峰值脉冲 | - | 150W | ||
通道数 | - | 1 | ||
反向断态电压 | - | 3.3V | ||
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