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STN1N20 与
ZVN2120GTA 的区别
制造商：ST 最优价格：￥8.20380 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.59350 查看详情 查看数据资料 | |||
| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | TO261-4 | SOT-223 | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | ||
| 漏源电压(Vdss) | 200V | 200V | ||
| 连续漏极电流 | 1A | 320mA | ||
| 阈值电压 | 5V@250µA | 3V@1mA | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | ||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | ||
| FET功能 | - | - | ||
| 是否无铅 | Yes | Yes | ||
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | ||
| 系列 | MESHOVERLAY™ | - | ||
| 功率耗散 | 2.9W | 2W | ||
| 零件状态 | 过期 | Active | ||
| 输入电容 | 206pF@25V | 85pF | ||
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.5欧姆@500mA，10V | 10Ω@10V,250mA | ||
| 漏极电流 | - | 320mA | ||
| Vgs(Max) | - | ±20V | ||
| 栅极电荷(Qg) | - | - | ||
| 配置 | - | 单路 | ||
| 存储温度 | - | -55℃~+150℃ | ||
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | ||
| 最小包装 | - | 1000pcs | ||
| 原始制造商 | - | DIODES Electronics Co. Ltd | ||
| 原产国家 | - | China | ||
| 击穿电压 | - | 200V | ||
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ||
| 反向传输电容Crss | - | 7pF | ||
| 制造商标准提前期 | - | 10 周 | ||
| 高度 | - | 1.60mm | ||
| 引脚数 | - | 3Pin | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 额定功率 | - | 2W | ||
| 长x宽/尺寸 | - | 6.50 x 3.50mm | ||
| 品牌 | - | DIODES | ||
| 类型 | - | 1个N沟道 | ||
| 极性 | - | N-沟道 | ||
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