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L6386ED 与
的区别
制造商：ST 最优价格：￥11.05694 查看详情 查看数据资料 | ||||
| ECCN编码 | ||||
| 上升/下降时间 | 50ns，30ns | |||
| 安装类型 | SMT | |||
| 封装/外壳 | SOIC14 | |||
| 输出类型 | - | |||
| 通道类型 | Independent | |||
| 工作电压 | 17V | |||
| 输入类型 | Inverting | |||
| 高压侧电压-最大值（自举） | 600V | |||
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |||
| 是否无铅 | Yes | |||
| 品牌 | ST | |||
| 峰值灌电流 | 650mA | |||
| 原始制造商 | STMicroelectronics | |||
| 峰值拉电流 | 400mA | |||
| 系列 | - | |||
| 下降时间 | 30ns | |||
| 电源电压 | 17V | |||
| 驱动器数 | 2 | |||
| 通道数 | 2 | |||
| 栅极类型 | IGBT, N通道 MOSFET | |||
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |||
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 1.5V，3.6V | |||
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 400mA，650mA | |||
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