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BCP5616QTC 与
BCP5616QTA 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 封装/外壳 | TO261-4 | SOT-223-3 | ||
| 工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -65℃~+150℃ | ||
| 安装类型 | SMT | SMT | ||
| 晶体管类型 | NPN | NPN | ||
| 集射极击穿电压Vce(Max) | 80V | 80V | ||
| 跃迁频率 | 150MHz | 150MHz | ||
| 集电极截止电流 (Icbo) | 100nA | 100nA | ||
| 原始制造商 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | ||
| 集电极电流 Ic | 1A | 1A | ||
| 额定功率 | 2W | 2W | ||
| 基本产品编号 | BCP5616 | - | ||
| DC电流增益(hFE) | - | 100~250 | ||
| 包装 | - | Tape/reel | ||
| Vce饱和压降 | - | 500mV | ||
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | ||
| 最小包装 | - | 1000pcs | ||
| 引脚数 | - | 3Pin | ||
| 高度 | - | 1.65mm | ||
| 是否无铅 | - | Yes | ||
| 长x宽/尺寸 | - | 6.50 x 3.50mm | ||
| 发射极与基极之间电压 VEBO | - | 5V | ||
| 集电极-基极电压（VCBO） | - | 100V | ||
| 零件状态 | - | Active | ||
| 存储温度 | - | -65℃~+150℃ | ||
| 功率耗散 | - | 2W | ||
| 原产国家 | - | America | ||
| 系列 | - | - | ||
| 品牌 | - | DIODES | ||
| 元件生命周期 | - | Active | ||
| 制造商标准提前期 | - | 10 周 | ||
| 集电极-发射极电压 VCEO | - | 80V | ||
| 极性 | - | NPN | ||
| 特征频率(fT) | - | 100MHz | ||
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