尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    AMS1117-1.8AO3420、ZXMN2A14FTA、ZXMN2B01FTA 的区别

    AMS1117-1.8

    制造商:AMS(美国)

    最优价格:¥0.66000

    查看详情 查看数据资料

    AO3420

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.53054

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN2A14FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.62944

    查看详情 查看数据资料

    ZXMN2B01FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥1.18304

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    输出配置Positive---
    输出类型固定---
    输出电流1A---
    静态电流5mA---
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-223-3SOT-23SOT-23SOT-23
    输出电压1.8V---
    高度1.80mm1.25mm0.98mm1.12mm
    存储温度-65℃~+150℃---55℃~+150℃
    元件生命周期ActiveActive-Active
    电源抑制比(PSRR)72dB---
    原产国家AmericaAmerica-America
    原始制造商Advanced Monolithic Systems, Inc.Alpha and Omega SemiconductorDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    品牌AMSAOSDIODESDIODES
    工作温度-40℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    长x宽/尺寸6.71 x 3.71mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    FET功能----
    Vgs(Max)-±12V±12V±8V
    连续漏极电流-6A3.4A2.4A
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    阈值电压-1V700mV@250µA1V@250µA
    配置-单路单路-
    输入电容-630pF544pF370pF@10V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    额定功率-1.4W1W625mW
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    类型-N沟道1个N沟道1个N沟道
    充电电量-12.5nC--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-24mΩ@10V,6A60mΩ@3.4A,4.5V100mΩ@4.5V,2.4A
    系列----
    反向传输电容Crss-45pF@10V--
    功率耗散-1.4W1W625mW
    零件状态-ActiveActiveActive
    是否无铅-YesYesYes
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,10V2.5V,4.5V1.8V,4.5V
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    栅极源极击穿电压-±12V-±8V
    制造商标准提前期-16 周10 周10 周
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    栅极电荷(Qg)--6.6nC-
    击穿电压---20V
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照