尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    AMS1117-1.8ZXM61N02FTA、AO3414、AO3420 的区别

    AMS1117-1.8

    制造商:AMS(美国)

    最优价格:¥0.66000

    查看详情 查看数据资料

    ZXM61N02FTA

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.97442

    查看详情 查看数据资料

    AO3414

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.26640

    查看详情 查看数据资料

    AO3420

    制造商:AOS

    最优价格:¥0.53054

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳SOT-223-3SOT-23SOT-23SOT-23
    输出电压1.8V---
    输出配置Positive---
    输出类型固定---
    输出电流1A---
    静态电流5mA---
    引脚数4Pin3Pin3Pin3Pin
    存储温度-65℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    元件生命周期Active-ActiveActive
    原产国家AmericaChinaAmericaAmerica
    电源抑制比(PSRR)72dB---
    原始制造商Advanced Monolithic Systems, Inc.Diodes IncorporatedAlpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega Semiconductor
    品牌AMSDIODESAOSAOS
    工作温度-40℃~+125℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    长x宽/尺寸6.71 x 3.71mm3.05 x 1.40mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm
    高度1.80mm1.10mm1.25mm1.25mm
    连续漏极电流-1.7A2.5A6A
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    栅极电荷(Qg)-3.4nC--
    配置-单路单路单路
    阈值电压-700mV@250µA1V@250µA1V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    Vgs(Max)-±12V±8V±12V
    击穿电压-20V20V-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    栅极源极击穿电压-±12V±8V±12V
    充电电量-3.4nC2.9nC12.5nC
    系列----
    反向传输电容Crss-30pF27pF45pF@10V
    零件状态-ActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.7V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,10V
    脚间距-1.9mm--
    是否无铅-YesYesYes
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-180mΩ@4.5V,930mA50mΩ@4.5V,4.2A24mΩ@10V,6A
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    额定功率-625mW1.4W1.4W
    类型-1个N沟道1个N沟道N沟道
    功率耗散-625mW1.4W1.4W
    制造商标准提前期-10 周16 周16 周
    输入电容-160pF436pF630pF
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    漏极电流--3A-
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照