IR2011STRPBF 与
IR2011SPBF 的区别
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ECCN编码 | ||||
安装类型 | SMT | SMT | ||
封装/外壳 | SOIC8_150MIL | SOIC-8 | ||
通道类型 | Independent | Independent | ||
输出电流 | 1A | - | ||
工作电压 | 10V~20V | 10V~20V | ||
输出类型 | - | - | ||
引脚数 | 8Pin | - | ||
上升/下降时间 | 35ns,20ns | 35ns,20ns | ||
工作温度 | -40℃~+150℃ | -40℃~+150℃ | ||
电源电压 | 10V~20V | 10V~20V | ||
是否无铅 | Yes | Yes | ||
通道数 | 2 | 2 | ||
最小包装 | 2500pcs | - | ||
负载类型 | Mosfet | Mosfet | ||
高度 | 1.75mm | - | ||
系列 | - | - | ||
长x宽/尺寸 | 4.90 x 3.90mm | - | ||
驱动器数 | 2 | 2 | ||
供电电压 | 10V~20V | 10V~20V | ||
栅极类型 | N通道 MOSFET | N通道 MOSFET | ||
品牌 | Infineon | Infineon | ||
原始制造商 | Infineon Technologies AG | Infineon Technologies AG | ||
逻辑电压 -VIL,VIH | 0.7V,2.2V | 0.7V,2.2V | ||
电流-峰值输出(灌入,拉出) | 1A,1A | 1A,1A | ||
输入类型 | Inverting | Inverting | ||
高压侧电压-最大值(自举) | 200V | 200V | ||
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