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    BY2000BC857CLT3G、BC857CLT1G、BC857C_R1_00001 的区别

    BY2000

    制造商:DIOTEC

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    BC857CLT3G

    制造商:ON

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    BC857CLT1G

    制造商:ON

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    BC857C_R1_00001

    制造商:PANJIT

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    ECCN编码
    包装Tape/Reel-Tape/reel-
    安装类型插件SMTSMTSMT
    工作温度-50℃~+150℃--55℃~+150℃-50℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)1.5µs---
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    正向压降VF1.1V---
    反向耐压VR2kV---
    平均整流电流3A---
    反向峰值电压(最大值)2KV---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR5μA---
    封装/外壳DO-201AASOT23-3SOT-23SOT-23
    零件状态Active-ActiveActive
    原始制造商Diotec Semiconductor AG-ON Semiconductor-
    正向压降VF Max1.1V---
    品牌Diotec-ONPANJIT
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    Vce饱和压降--650mV-
    配置--单路-
    集射极击穿电压Vce(Max)--45V45V
    晶体管类型--PNPPNP
    DC电流增益(hFE)--420~800420~800
    跃迁频率--100MHz-
    极性--PNP-
    特征频率(fT)--100MHz200MHz
    额定功率--300mW330mW
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO--45V-
    引脚数--3Pin3Pin
    原产国家--AmericaChina Taiwan
    印字代码--3G-
    是否无铅--YesYes
    最小包装--3000pcs-
    高度--1.00mm1.10mm
    制造商标准提前期--8 周-
    存储温度---55℃~+150℃-50℃~+150℃
    功率耗散--300mW330mW
    集电极截止电流 (Icbo)--15nA(ICBO)-
    发射极与基极之间电压 VEBO--5V-
    系列---BC857
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))--45V45V
    集电极-基极电压(VCBO)--50V-
    集电极电流 Ic--100mA100mA
    元件生命周期---Active
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