尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    BY2000BC857C-7-F、BC857CLT3G、BC857CLT1G 的区别

    BY2000

    制造商:DIOTEC

    最优价格:

    查看详情 查看数据资料

    BC857C-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17832

    查看详情 查看数据资料

    BC857CLT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10271

    查看详情 查看数据资料

    BC857CLT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.09200

    查看详情
    ECCN编码
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR5μA---
    封装/外壳DO-201AASOT23-3SOT23-3SOT-23
    包装Tape/Reel--Tape/reel
    安装类型插件SMTSMTSMT
    工作温度-50℃~+150℃---55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)1.5µs---
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    正向压降VF1.1V---
    反向耐压VR2kV---
    平均整流电流3A---
    反向峰值电压(最大值)2KV---
    品牌Diotec--ON
    零件状态Active--Active
    原始制造商Diotec Semiconductor AG--ON Semiconductor
    正向压降VF Max1.1V---
    长x宽/尺寸-2.90 x 1.65mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    跃迁频率---100MHz
    Vce饱和压降---650mV
    配置---单路
    集射极击穿电压Vce(Max)---45V
    晶体管类型---PNP
    DC电流增益(hFE)---420~800
    集电极截止电流 (Icbo)---15nA(ICBO)
    发射极与基极之间电压 VEBO---5V
    系列----
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))---45V
    集电极-基极电压(VCBO)---50V
    集电极电流 Ic---100mA
    极性---PNP
    特征频率(fT)---100MHz
    额定功率---300mW
    湿气敏感性等级 (MSL)---1(无限)
    集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO---45V
    引脚数---3Pin
    原产国家---America
    印字代码---3G
    是否无铅---Yes
    最小包装---3000pcs
    高度---1.00mm
    制造商标准提前期---8 周
    存储温度----55℃~+150℃
    功率耗散---300mW
    加入购物车询价加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2025 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照