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AO3415AO3415A、AO3419 的区别

AO3415

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AO3415A

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AO3419

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ECCN编码
安装类型SMTSMTSMT
FET功能---
阈值电压1V@250µA850mV@250µA1.4V@250µA
漏源电压(Vdss)20V20V20V
连续漏极电流3.5A5A2.8A
晶体管类型P沟道P沟道P沟道
工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
包装Tape/reelTape/reelTape/reel
配置单路单路单路
漏极电流4A5A-
封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23
反向传输电容Crss80pF80pF37pF@10V
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值)---
充电电量9.3nC9.3nC-
功率耗散1.5W1.5W1.4W
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)1.5V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,10V
存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-
输入电容1.45nF@10V940pF@10V400pF@10V
最小包装3000pcs3000pcs3000pcs
原始制造商Alpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega Semiconductor-
技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
原产国家AmericaAmerica-
制造商标准提前期16 周16 周16 周
长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm
是否无铅YesYesYes
高度1.25mm1.25mm1.25mm
认证信息RoHSRoHS-
引脚数3Pin3Pin3Pin
系列---
元件生命周期ActiveActive-
品牌AOSAOSAOS
额定功率1.5W1.5W1.4W
零件状态ActiveActiveActive
极性P-沟道P-沟道P-沟道
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)43mΩ@4.5V,4A45mΩ@4.5V,4A85mΩ@4.5V,3A
湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)
类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道
击穿电压20V20V-
栅极源极击穿电压±8V±8V-
脚间距--1.9mm
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