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FQD18N20V2TM 与
RCD100N20TL、STD25NF20 的区别
制造商：ON 最优价格：￥5.56316 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ROHM 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.67440 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| 阈值电压 | 5V@250µA | 5.25V@1mA | 4V@250µA | |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | +150℃ | -55℃~+175℃ | |
| Vgs(Max) | ±30V | - | ±20V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | 200V | 200V | |
| 连续漏极电流 | 15A | 10A | 18A | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 10V | - | 10V | |
| 类型 | 1个N沟道 | - | 1个N沟道 | |
| 制造商标准提前期 | 6 周 | 17 周 | 26 周 | |
| 功率耗散 | 2.5W,83W | 850mW,20W | 110W | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 140mΩ@7.5A,10V | 182毫欧@5A，10V | 125mΩ@10V,10A | |
| 额定功率 | 2.5W,83W | - | 110W | |
| 极性 | N-沟道 | - | N-沟道 | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | |
| 系列 | QFET® | - | STripFET™ | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 输入电容 | 1.08nF@25V | 1.4nF@25V | 940pF@25V | |
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