STD25NF20 与
SUD19N20-90-E3、FQD18N20V2TM 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 晶体管类型 | N沟道 | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 封装/外壳 | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | -55℃~+175℃ | -55℃~+150℃ | |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±30V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | 200V | 200V | |
| 连续漏极电流 | 18A | 19A | 15A | |
| 阈值电压 | 4V@250µA | 4V@250µA | 5V@250µA | |
| 包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 类型 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,10A | 90mΩ@10V,5A | 140mΩ@7.5A,10V | |
| 额定功率 | 110W | 3W,136W | 2.5W,83W | |
| 系列 | STripFET™ | TrenchFET® | QFET® | |
| 输入电容 | 940pF@25V | 1.8nF@25V | 1.08nF@25V | |
| 零件状态 | Active | Active | Active | |
| 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 10V | 6V,10V | 10V | |
| 功率耗散 | 110W | 3W,136W | 2.5W,83W | |
| 极性 | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 | |
| 制造商标准提前期 | 26 周 | 19 周 | 6 周 | |
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