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D02-M15SG-N-F0 与
STS5N15F4、SI4488DY-T1-E3 的区别
制造商：JAE 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：ST 最优价格：￥6.47828 查看详情 查看数据资料 | 制造商：Vishay 最优价格：￥2.48600 查看详情 查看数据资料 | ||
| ECCN编码 | ||||
| 配接次数 | - | - | - | |
| 触头类型 | 信号 | - | - | |
| 安装类型 | 面板安装 | SMT | SMT | |
| 封装/外壳 | - | SOT96-1 | SOT96-1 | |
| 包装 | 袋 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | |
| 备注 | 不含触头 | - | - | |
| 特性 | - | - | - | |
| 连接器类型 | 母触点插座 | - | - | |
| 侵入防护 | - | - | - | |
| 工作温度 | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | |
| 针脚数 | 15Pin | - | - | |
| 排数 | 三排 | - | - | |
| 制造商 | JAE Electronics | - | - | |
| 外壳镀层厚度 | - | - | - | |
| 系列 | D02 | DeepGATE™,STripFET™ | TrenchFET® | |
| 外壳材料，镀层 | 钢,镀锡 | - | - | |
| 锁定特性 | 体座/外壳(无螺纹) | - | - | |
| 外壳尺寸，连接器布局 | 1(DE,E)高密度 | - | - | |
| 介电材料 | 聚酰胺(PA),尼龙,玻璃纤维增强型 | - | - | |
| 颜色 | 黑色 | - | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | 150V | 150V | |
| 连续漏极电流 | - | 5A | 3.5A | |
| 阈值电压 | - | 4V@250µA | 2V@250µA（最小） | |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | |
| FET功能 | - | - | - | |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | |
| 功率耗散 | - | 2.5W | 1.56W | |
| 零件状态 | - | Active | Active | |
| 输入电容 | - | 2.71nF@25V | - | |
| 类型 | - | 1个N沟道 | 1个N沟道 | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 63mΩ@2.5A,10V | 50mΩ@10V,5A | |
| 额定功率 | - | 2.5W | 1.56W | |
| 制造商标准提前期 | - | 7 周 | 15 周 | |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | |
| Vgs(Max) | - | - | ±20V | |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 36nC | |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | - | 10V | |
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