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    AO3400MMBT3904Q-7-F、MMBT3904-TP、SST3904T116 的区别

    AO3400

    制造商:LGE

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    MMBT3904Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.20083

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    MMBT3904-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.04289

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    SST3904T116

    制造商:ROHM

    最优价格:¥0.12369

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    ECCN编码
    漏源电压(Vdss)30V---
    连续漏极电流5.8A---
    阈值电压0.9V---
    漏极电流1µA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    Vgs(Max)±12V---
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    额定功率1.4W310mW350mW350mW
    击穿电压33V---
    反向传输电容Crss77pF---
    输入电容623pF---
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    是否无铅YesYesYesYes
    元件生命周期ActiveActiveActive-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A---
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.Diodes IncorporatedMicro Commercial Components-
    原产国家ChinaAmericaAmerica-
    极性N-沟道NPNNPNNPN
    高度1.12mm1.10mm1.10mm1.00mm
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.92 x 1.30mm
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    品牌LGEDIODESMCCRohm
    类型1个N沟道---
    栅极源极击穿电压±12V---
    Vce饱和压降-300mV300mV300mV
    集射极击穿电压Vce(Max)-40V40V40V
    DC电流增益(hFE)-100100~300100
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    功率耗散-310mW350mW350mW
    特征频率(fT)-300MHz300MHz300MHz
    集电极电流 Ic-200mA200mA200mA
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-40V40V40V
    跃迁频率--300MHz300MHz
    认证信息--RoHS-
    系列---Original
    制造商标准提前期--8 周10 周
    集电极截止电流 (Icbo)--50nA(ICBO)50nA
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V-
    集电极-基极电压(VCBO)--60V-
    脚间距---1.9mm
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