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    AO3400SST3904T116、MMBT3904、MMBT3904LT1G 的区别

    AO3400

    制造商:LGE

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    SST3904T116

    制造商:ROHM

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    MMBT3904

    制造商:DIOTEC

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    MMBT3904LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    包装Tape/reelTape/reel-Tape/reel
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    Vgs(Max)±12V---
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    漏源电压(Vdss)30V---
    连续漏极电流5.8A---
    阈值电压0.9V---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    漏极电流1µA---
    是否无铅YesYes-Yes
    元件生命周期Active---
    零件状态ActiveActive-Active
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A---
    原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.--ON Semiconductor
    原产国家China--America
    极性N-沟道NPN-NPN
    高度1.12mm1.00mm1.10mm1.00mm
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.92 x 1.30mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm
    品牌LGERohm-ON
    最小包装3000pcs3000pcs-3000pcs
    栅极源极击穿电压±12V---
    类型1个N沟道---
    额定功率1.4W350mW350mW300mW
    击穿电压33V---
    反向传输电容Crss77pF---
    输入电容623pF---
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    跃迁频率-300MHz-300MHz
    DC电流增益(hFE)-100100@10mA,1V300
    集射极击穿电压Vce(Max)-40V40V40V
    Vce饱和压降-300mV-300mV
    集电极截止电流 (Icbo)-50nA--
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-40V300mV@50mA,5mA40V
    功率耗散-350mW-225mW
    系列-Original--
    制造商标准提前期-10 周-16 周
    特征频率(fT)-300MHz300MHz300MHz
    集电极电流 Ic-200mA200mA200mA
    脚间距-1.9mm-1.9mm
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    配置---单路
    存储温度----55℃~+150℃
    发射极与基极之间电压 VEBO---6V
    集电极-基极电压(VCBO)---40V
    印字代码---1AM
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