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    AO3400MMBT3904、MMBT3904LT1G、MMBT3904Q-7-F 的区别

    AO3400

    制造商:LGE

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    MMBT3904

    制造商:DIOTEC

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    MMBT3904LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.03869

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    MMBT3904Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.20083

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    ECCN编码
    Vgs(Max)±12V---
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    漏源电压(Vdss)30V---
    连续漏极电流5.8A---
    阈值电压0.9V---
    漏极电流1µA---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    晶体管类型N沟道NPNNPNNPN
    包装Tape/reel-Tape/reelTape/reel
    是否无铅Yes-YesYes
    元件生命周期Active--Active
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@10V,2.9A---
    零件状态Active-ActiveActive
    原始制造商Luguang Electronic Technology Co., Ltd.-ON SemiconductorDiodes Incorporated
    极性N-沟道-NPNNPN
    原产国家China-AmericaAmerica
    长x宽/尺寸3.04 x 1.40mm2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.12mm1.10mm1.00mm1.10mm
    品牌LGE-ONDIODES
    最小包装3000pcs-3000pcs3000pcs
    栅极源极击穿电压±12V---
    类型1个N沟道---
    额定功率1.4W350mW300mW310mW
    击穿电压33V---
    反向传输电容Crss77pF---
    输入电容623pF---
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    集射极击穿电压Vce(Max)-40V40V40V
    DC电流增益(hFE)-100@10mA,1V300100
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))-300mV@50mA,5mA40V40V
    特征频率(fT)-300MHz300MHz300MHz
    集电极电流 Ic-200mA200mA200mA
    Vce饱和压降--300mV300mV
    配置--单路-
    跃迁频率--300MHz-
    存储温度---55℃~+150℃-55℃~+150℃
    集电极截止电流 (Icbo)----
    功率耗散--225mW310mW
    发射极与基极之间电压 VEBO--6V-
    集电极-基极电压(VCBO)--40V-
    制造商标准提前期--16 周-
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)-
    印字代码--1AM-
    脚间距--1.9mm-
    系列----
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