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    N32G452CCL7DMP3030SN-7、DMP2035U-7、IRLML5203TRPBF 的区别

    N32G452CCL7

    制造商:Nations

    最优价格:¥5.57280

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

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    DMP2035U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.35492

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    IRLML5203TRPBF

    制造商:Infineon

    最优价格:¥0.37799

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    ECCN编码
    工作电压(范围)1.8V~3.6V---
    包装TrayTape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    CPU内核ARM Cortex M4F---
    主频速度(Max)144MHz---
    程序存储容量144KB---
    封装/外壳LQFP48_7X7MMSC59SOT-23SOT-23
    品牌NationsDIODESDIODESInfineon
    工作温度-40℃~+105℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)
    最小包装250pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    引脚数48Pin-3Pin3Pin
    长x宽/尺寸7.00 x 7.00mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    高度1.60mm1.40mm1.03mm1.12mm
    阈值电压-3V@1mA1V2.5V@250µA
    配置-单路-单路
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    漏源电压(Vdss)-30V20V30V
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±8V±20V
    栅极电荷(Qg)--15.4nC-
    连续漏极电流-700mA3.6A3A
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V1.8V,4.5V4.5V,10V
    是否无铅-YesYesYes
    额定功率-500mW810mW1.25W
    栅极源极击穿电压-±20V±8V±20V
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedInfineon Technologies AG
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    输入电容-160pF@10V1.61nF510pF@25V
    制造商标准提前期-8 周8 周-
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-250mΩ@10V,400mA35mΩ@4.5V,4A98mΩ@10V,3A
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    系列---HEXFET®
    功率耗散-500mW810mW1.25W
    零件状态-ActiveActiveActive
    漏极电流--3.6A3A
    反向传输电容Crss--145pF43pF
    元件生命周期--ActiveActive
    原产国家--AmericaGermany
    充电电量--15.4nC9.5nC
    脚间距--1.92mm-
    存储温度----55℃~+150℃
    印字代码---XYWLC
    认证信息---RoHS
    击穿电压---30V
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