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N32G452CCL7 与
DMG2305UX-7、DMG2305UX-13、DMP3030SN-7 的区别
制造商：Nations 最优价格：￥5.57280 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.16791 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.32443 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥2.84050 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| CPU内核 | ARM Cortex M4F | - | - | - |
| 主频速度（Max） | 144MHz | - | - | - |
| 程序存储容量 | 144KB | - | - | - |
| 封装/外壳 | LQFP48_7X7MM | SOT-23 | SOT-23 | SC59 |
| 工作电压（范围） | 1.8V~3.6V | - | - | - |
| 包装 | Tray | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 长x宽/尺寸 | 7.00 x 7.00mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm |
| 高度 | 1.60mm | 1.00mm | 1.00mm | 1.40mm |
| 品牌 | Nations | DIODES | DIODES | DIODES |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃(TJ) | -65℃~+150℃ |
| 最小包装 | 250pcs | 3000pcs | 10000pcs | 3000pcs |
| 引脚数 | 48Pin | 3Pin | 3Pin | - |
| Vgs(Max) | - | ±8V | ±8V | ±20V |
| 阈值电压 | - | 900mV | 900mV | 3V@1mA |
| 漏极电流 | - | 4.2A | 4.2A | - |
| 连续漏极电流 | - | 4.2A | 4.2A | 700mA |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | 10.2nC | 10.2nC | - |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 30V |
| 是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | - |
| 充电电量 | - | 10.2nC | 10.2nC | - |
| 原始制造商 | - | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 输入电容 | - | 808pF | 808pF | 160pF@10V |
| 原产国家 | - | America | America | - |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 52mΩ@4.5V,4.2A | 52mΩ@4.5V,4.2A | 250mΩ@10V,400mA |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±8V | ±8V | ±20V |
| 系列 | - | - | - | - |
| 额定功率 | - | 1.4W | 1.4W | 500mW |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 击穿电压 | - | 20V | 20V | - |
| 功率耗散 | - | 1.4W | 1.4W | 500mW |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.8V，4.5V | 1.8V，4.5V | 4.5V，10V |
| 制造商标准提前期 | - | 8 周 | 5 周 | 8 周 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 配置 | - | - | - | 单路 |
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