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    N32G452CCL7DMG2305UX-13、DMP3030SN-7、DMP2035U-7 的区别

    N32G452CCL7

    制造商:Nations

    最优价格:¥5.57280

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    DMG2305UX-13

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.32443

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥2.84050

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    DMP2035U-7

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.35492

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    ECCN编码
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    CPU内核ARM Cortex M4F---
    主频速度(Max)144MHz---
    程序存储容量144KB---
    封装/外壳LQFP48_7X7MMSOT-23SC59SOT-23
    工作电压(范围)1.8V~3.6V---
    包装TrayTape/reelTape/reelTape/reel
    引脚数48Pin3Pin-3Pin
    长x宽/尺寸7.00 x 7.00mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm
    高度1.60mm1.00mm1.40mm1.03mm
    品牌NationsDIODESDIODESDIODES
    工作温度-40℃~+105℃-55℃~+150℃(TJ)-65℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)
    最小包装250pcs10000pcs3000pcs3000pcs
    漏源电压(Vdss)-20V30V20V
    漏极电流-4.2A-3.6A
    连续漏极电流-4.2A700mA3.6A
    Vgs(Max)-±8V±20V±8V
    FET功能----
    栅极电荷(Qg)-10.2nC-15.4nC
    阈值电压-900mV3V@1mA1V
    晶体管类型-P沟道P沟道P沟道
    零件状态-ActiveActiveActive
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedDiodes Incorporated
    系列----
    原产国家-America-America
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-52mΩ@4.5V,4.2A250mΩ@10V,400mA35mΩ@4.5V,4A
    类型-1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    功率耗散-1.4W500mW810mW
    输入电容-808pF160pF@10V1.61nF
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-1.8V,4.5V4.5V,10V1.8V,4.5V
    栅极源极击穿电压-±8V±20V±8V
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    额定功率-1.4W500mW810mW
    制造商标准提前期-5 周8 周8 周
    极性-P-沟道P-沟道P-沟道
    是否无铅-YesYesYes
    击穿电压-20V--
    充电电量-10.2nC-15.4nC
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    元件生命周期-Active-Active
    配置--单路-
    脚间距---1.92mm
    反向传输电容Crss---145pF
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