MMBT5551 与
MMBT5551_R1_00001、MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G 的区别
制造商:DIOTEC 最优价格:¥0.15980 查看详情 查看数据资料 | 制造商:PANJIT 最优价格:¥0.10081 查看详情 查看数据资料 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.08800 查看详情 | 制造商:ON 最优价格:¥0.07952 查看详情 | |
ECCN编码 | ||||
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
晶体管类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
DC电流增益(hFE) | 80@10mA,5V | 80@10mA,5V | 50 | 250 |
封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
集射极击穿电压Vce(Max) | 160V | 160V | 160V | 160V |
集电极-发射极电压 VCEO | 200mV@50mA,5mA | 160V | 160V | 160V |
额定功率 | 250mW | 250mW | 300mW | 225mW |
集电极电流 Ic | 600mA | 600mA | 600mA | 600mA |
特征频率(fT) | 100MHz | 100MHz | 300MHz | - |
引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
高度 | 1.10mm | 1.10mm | 1.10mm | 1.11mm |
跃迁频率 | - | 100MHz | 100MHz | - |
Vce饱和压降 | - | 200mV | 200mV | 200mV |
存储温度 | - | -55℃~+150℃ | - | -55℃~+150℃ |
元件生命周期 | - | Active | - | Active |
零件状态 | - | Active | Active | Active |
功率耗散 | - | 250mW | 300mW | 225mW |
是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
品牌 | - | PANJIT | DIODES | ON |
原产国家 | - | China Taiwan | - | America |
包装 | - | - | Tape/reel | Tape/reel |
最小包装 | - | - | 3000pcs | 3000pcs |
集电极截止电流 (Icbo) | - | - | 500nA(ICBO) | 100nA |
制造商标准提前期 | - | - | 12 周 | 12 周 |
极性 | - | - | Bidirectional | NPN |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | - | 1(无限) | 1(无限) |
系列 | - | - | Original | - |
配置 | - | - | - | 单路 |
脚间距 | - | - | - | 1.9mm |
发射极与基极之间电压 VEBO | - | - | - | 6V |
集电极-基极电压(VCBO) | - | - | - | 180V |
印字代码 | - | - | - | G1 |
原始制造商 | - | - | - | ON Semiconductor Inc. |
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