MMBT5551 与
MMBT5551-7-F、MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G 的区别
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ECCN编码 | ||||
工作温度 | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ |
晶体管类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
DC电流增益(hFE) | 80@10mA,5V | 50 | 250 | 80~250 |
封装/外壳 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
集射极击穿电压Vce(Max) | 160V | 160V | 160V | 160V |
额定功率 | 250mW | 300mW | 225mW | 225mW |
集电极电流 Ic | 600mA | 600mA | 600mA | 600mA |
特征频率(fT) | 100MHz | 300MHz | - | - |
引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
长x宽/尺寸 | 2.90 x 1.65mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
高度 | 1.10mm | 1.10mm | 1.11mm | 1.11mm |
集电极-发射极电压 VCEO | 200mV@50mA,5mA | 160V | 160V | 160V |
包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
Vce饱和压降 | - | 200mV | 200mV | 200mV |
跃迁频率 | - | 100MHz | - | - |
制造商标准提前期 | - | 12 周 | 12 周 | 12 周 |
功率耗散 | - | 300mW | 225mW | 225mW |
极性 | - | Bidirectional | NPN | NPN |
湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
是否无铅 | - | Yes | Yes | Yes |
品牌 | - | DIODES | ON | ON |
零件状态 | - | Active | Active | Active |
系列 | - | Original | - | - |
最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 10000pcs |
集电极截止电流 (Icbo) | - | 500nA(ICBO) | 100nA | 100nA |
配置 | - | - | 单路 | 单路 |
存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
发射极与基极之间电压 VEBO | - | - | 6V | 6V |
集电极-基极电压(VCBO) | - | - | 180V | 180V |
元件生命周期 | - | - | Active | - |
印字代码 | - | - | G1 | G1 |
原产国家 | - | - | America | America |
原始制造商 | - | - | ON Semiconductor Inc. | ON Semiconductor |
脚间距 | - | - | 1.9mm | - |
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