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    MMBT5551MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP、MMBT5551_R1_00001 的区别

    MMBT5551

    制造商:DIOTEC

    最优价格:¥0.15980

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    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.12430

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    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07280

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    MMBT5551_R1_00001

    制造商:PANJIT

    最优价格:¥0.10081

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    ECCN编码
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    DC电流增益(hFE)80@10mA,5V80~25010080@10mA,5V
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    集电极-发射极电压 VCEO200mV@50mA,5mA160V160V160V
    额定功率250mW225mW300mW250mW
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    特征频率(fT)100MHz-100MHz100MHz
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.65mm
    高度1.10mm1.11mm1.00mm1.10mm
    Vce饱和压降-200mV500mV200mV
    跃迁频率--100MHz100MHz
    包装-Tape/reelTape/reel-
    配置-单路--
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V--
    制造商标准提前期-12 周8 周-
    功率耗散-225mW300mW250mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)-
    零件状态-ActiveActiveActive
    最小包装-10000pcs3000pcs-
    系列--Original-
    原始制造商-ON SemiconductorMicro Commercial Components-
    原产国家-AmericaAmericaChina Taiwan
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA50nA(ICBO)-
    印字代码-G1--
    集电极-基极电压(VCBO)-180V--
    是否无铅-YesYesYes
    极性-NPNNPN-
    品牌-ONMCCPANJIT
    元件生命周期--ActiveActive
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