尊敬的客户:为给您持续提供一对一优质服务,即日起,元器件订单实付商品金额<300元时,该笔订单按2元/SKU加收服务费,感谢您的关注与支持!
    MMBT5551MMBT5551LT1G、MMBT5551LT3G、MMBT5551-TP 的区别

    MMBT5551

    制造商:DIOTEC

    最优价格:¥0.15980

    查看详情 查看数据资料

    MMBT5551LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.07952

    查看详情

    MMBT5551LT3G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.12430

    查看详情

    MMBT5551-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.07280

    查看详情 查看数据资料
    ECCN编码
    集射极击穿电压Vce(Max)160V160V160V160V
    工作温度-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    晶体管类型NPNNPNNPNNPN
    DC电流增益(hFE)80@10mA,5V25080~250100
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    长x宽/尺寸2.90 x 1.65mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm
    高度1.10mm1.11mm1.11mm1.00mm
    集电极-发射极电压 VCEO200mV@50mA,5mA160V160V160V
    额定功率250mW225mW225mW300mW
    集电极电流 Ic600mA600mA600mA600mA
    特征频率(fT)100MHz--100MHz
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    跃迁频率---100MHz
    包装-Tape/reelTape/reelTape/reel
    Vce饱和压降-200mV200mV500mV
    配置-单路单路-
    制造商标准提前期-12 周12 周8 周
    印字代码-G1G1-
    原产国家-AmericaAmericaAmerica
    系列---Original
    原始制造商-ON Semiconductor Inc.ON SemiconductorMicro Commercial Components
    集电极截止电流 (Icbo)-100nA100nA50nA(ICBO)
    最小包装-3000pcs10000pcs3000pcs
    零件状态-ActiveActiveActive
    脚间距-1.9mm--
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    功率耗散-225mW225mW300mW
    发射极与基极之间电压 VEBO-6V6V-
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    集电极-基极电压(VCBO)-180V180V-
    是否无铅-YesYesYes
    品牌-ONONMCC
    元件生命周期-Active-Active
    极性-NPNNPNNPN
    加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车加入购物车

    同类型型号推荐

    Copyright ©2012-2024 hqchip.com.All Rights Reserved 粤ICP备14022951号工商网监认证 工商网监 营业执照