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    AO3400AVB1330、CJ3400A、AO3400A 的区别

    AO3400A

    制造商:AOS

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    VB1330

    制造商:VBsemi

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    CJ3400A

    制造商:JSCJ

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    AO3400A

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23SOT-23SOT-23SOT-23
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±12V±20V±12V±12V
    FET功能----
    配置单路单路-单路
    阈值电压1.5V@250µA1.1V@250µA-1.5V@250µA
    连续漏极电流5.7A5.3A5.8A5.7A
    晶体管类型N沟道N沟道N沟道N沟道
    包装Tape/reelTape/reelTape/reelTape/reel
    漏极电流5.7A--5.7A
    漏源电压(Vdss)30V30V30V30V
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@10V,5.7A33mΩ32mΩ26.5mΩ@10V,5.7A
    长x宽/尺寸2.90 x 1.60mm3.04 x 1.40mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.60mm
    额定功率1.4W-400mW1.4W
    高度1.25mm1.12mm1.15mm1.25mm
    类型1个N沟道--1个N沟道
    引脚数3Pin3Pin3Pin3Pin
    品牌AOSVBsemiJSCJAOS
    元件生命周期ActiveActive-Active
    极性N-沟道N-沟道N-沟道N-沟道
    输入电容630pF@15V335pF1.155nF630pF@15V
    击穿电压30V30V-30V
    栅极源极击穿电压±12V±20V±12V±12V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)2.5V,10V--2.5V,10V
    反向传输电容Crss50pF17pF-50pF
    充电电量6nC2.1nC-6nC
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)--MOSFET (Metal Oxide)
    功率耗散1.4W1.1W400mW1.4W
    存储温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃--55℃~+150℃
    零件状态ActiveActive-Active
    系列----
    最小包装3000pcs3000pcs3000pcs3000pcs
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)--1(无限)
    是否无铅YesYes-Yes
    原始制造商Alpha and Omega SemiconductorVBsemi Electronics Co. Ltd-Alpha and Omega Semiconductor
    原产国家AmericaChina Taiwan-America
    栅极电荷(Qg)-6.7nC--
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