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PC28F640P33TF60A 与
AO3420、ZXMN2A14FTA、ZXMN2B01FTA 的区别
制造商：Micron 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.53054 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥1.10000 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥1.18304 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 存储容量 | 64Mb | - | - | - |
| 接口类型 | 并联 | - | - | - |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | TBGA64 | SOT-23 | SOT-23 | SOT-23 |
| 包装 | Tray | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 3（168 小时） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 工作电压（范围） | 3.6V | - | - | - |
| 最大时钟频率 | 52MHz | - | - | - |
| 写周期时间(Tw) | 60ns | - | - | - |
| 存取时间 | 60ns | - | - | - |
| 存储器格式 | 闪存 | - | - | - |
| 技术 | FLASH-NOR | - | - | - |
| 品牌 | Micron | AOS | DIODES | DIODES |
| 原始制造商 | Micron Technology,Inc. | Alpha and Omega Semiconductor | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 存储器类型 | 非易失 | - | - | - |
| 零件状态 | Obsolete | Active | Active | Active |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
| 系列 | - | - | - | - |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 阈值电压 | - | 1V | 700mV@250µA | 1V@250µA |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 20V | 20V | 20V |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±12V | ±12V | ±8V |
| 连续漏极电流 | - | 6A | 3.4A | 2.4A |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±12V | - | ±8V |
| 极性 | - | N-沟道 | N-沟道 | N-沟道 |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 10 周 | 10 周 |
| 输入电容 | - | 630pF | 544pF | 370pF@10V |
| 长x宽/尺寸 | - | 2.90 x 1.60mm | 2.90 x 1.30mm | 3.04 x 1.40mm |
| 高度 | - | 1.25mm | 0.98mm | 1.12mm |
| 引脚数 | - | 3Pin | 3Pin | 3Pin |
| 元件生命周期 | - | Active | - | Active |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 原产国家 | - | America | - | America |
| 额定功率 | - | 1.4W | 1W | 625mW |
| 类型 | - | N沟道 | 1个N沟道 | 1个N沟道 |
| 充电电量 | - | 12.5nC | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 24mΩ@10V,6A | 60mΩ@3.4A,4.5V | 100mΩ@4.5V,2.4A |
| 反向传输电容Crss | - | 45pF@10V | - | - |
| 功率耗散 | - | 1.4W | 1W | 625mW |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 1.8V，10V | 2.5V，4.5V | 1.8V，4.5V |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 6.6nC | - |
| 存储温度 | - | - | - | -55℃~+150℃ |
| 击穿电压 | - | - | - | 20V |
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