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    PC28F640P33TF60AZXM61N02FTA、AO3414、AO3420 的区别

    PC28F640P33TF60A

    制造商:Micron

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    ZXM61N02FTA

    制造商:DIODES

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    AO3414

    制造商:AOS

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    AO3420

    制造商:AOS

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    ECCN编码
    接口类型并联---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    封装/外壳TBGA64SOT-23SOT-23SOT-23
    包装TrayTape/reelTape/reelTape/reel
    工作电压(范围)3.6V---
    湿气敏感性等级 (MSL)3(168 小时)1(无限)1(无限)1(无限)
    最大时钟频率52MHz---
    写周期时间(Tw)60ns---
    存取时间60ns---
    存储容量64Mb---
    原始制造商Micron Technology,Inc.Diodes IncorporatedAlpha and Omega SemiconductorAlpha and Omega Semiconductor
    存储器类型非易失---
    零件状态ObsoleteActiveActiveActive
    工作温度-40℃~+85℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    是否无铅无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求YesYesYes
    系列----
    存储器格式闪存---
    技术FLASH-NOR---
    品牌MicronDIODESAOSAOS
    FET功能----
    Vgs(Max)-±12V±8V±12V
    连续漏极电流-1.7A2.5A6A
    漏源电压(Vdss)-20V20V20V
    栅极电荷(Qg)-3.4nC--
    阈值电压-700mV@250µA1V@250µA1V
    配置-单路单路单路
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    存储温度--55℃~+150℃-55℃~+150℃-
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    原产国家-ChinaAmericaAmerica
    引脚数-3Pin3Pin3Pin
    击穿电压-20V20V-
    栅极源极击穿电压-±12V±8V±12V
    充电电量-3.4nC2.9nC12.5nC
    反向传输电容Crss-30pF27pF45pF@10V
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-2.7V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,10V
    脚间距-1.9mm--
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-180mΩ@4.5V,930mA50mΩ@4.5V,4.2A24mΩ@10V,6A
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    额定功率-625mW1.4W1.4W
    类型-1个N沟道1个N沟道N沟道
    制造商标准提前期-10 周16 周16 周
    功率耗散-625mW1.4W1.4W
    长x宽/尺寸-3.05 x 1.40mm2.90 x 1.60mm2.90 x 1.60mm
    输入电容-160pF436pF630pF
    高度-1.10mm1.25mm1.25mm
    漏极电流--3A-
    元件生命周期--ActiveActive
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