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AD5260BRUZ50-REEL7 与
FQD18N20V2TM、RCD100N20TL、STD25NF20 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| 特性 | 级联销 | - | - | - |
| 包装 | Tape/Reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | 带卷（TR） | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 封装/外壳 | TSSOP-14_5X4.4MM | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) | TO-252(DPAK) |
| 电路数 | 1 | - | - | - |
| 抽头数 | 256 | - | - | - |
| 电源电压 | 4.5V | - | - | - |
| 配置 | 电位计 | - | - | - |
| 系列 | - | QFET® | - | STripFET™ |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | -55℃~+150℃ | +150℃ | -55℃~+175℃ |
| 是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
| 引脚数 | 14Pin | - | - | - |
| 温度系数Tf | 35ppm/℃ | - | - | - |
| 长x宽/尺寸 | 5.00 x 4.40mm | - | - | - |
| 接口类型 | SPI | - | - | - |
| 高度 | 1.10mm | - | - | - |
| 制造商标准提前期 | 9 周 | 6 周 | 17 周 | 26 周 |
| 数据接口 | SPI | - | - | - |
| 圆锥 | 线性 | - | - | - |
| 存储器类型 | 易失 | - | - | - |
| 原始制造商 | Analog Devices, Inc. | - | - | - |
| 容差 | ±30% | - | - | - |
| 端到端电阻 | 50KΩ | - | - | - |
| 品牌 | ADI | - | - | - |
| 触点阻抗 | 60Ω | - | - | - |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 电阻- 游标（欧姆）（典型值） | 60 | - | - | - |
| 电阻（欧姆） | 50KΩ | - | - | - |
| 晶体管类型 | - | N沟道 | N沟道 | N沟道 |
| 阈值电压 | - | 5V@250µA | 5.25V@1mA | 4V@250µA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±30V | - | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | - | 200V | 200V | 200V |
| 连续漏极电流 | - | 15A | 10A | 18A |
| 输入电容 | - | 1.08nF@25V | 1.4nF@25V | 940pF@25V |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 10V | - | 10V |
| 类型 | - | 1个N沟道 | - | 1个N沟道 |
| 功率耗散 | - | 2.5W,83W | 850mW,20W | 110W |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 140mΩ@7.5A,10V | 182毫欧@5A，10V | 125mΩ@10V,10A |
| 额定功率 | - | 2.5W,83W | - | 110W |
| 极性 | - | N-沟道 | - | N-沟道 |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
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