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X3C09E2-20S 与
AO4449、DMP3098LSS-13、ZXMP3A16N8TA 的区别
制造商：Anaren 最优价格：￥ 查看详情 查看数据资料 | 制造商：AOS 最优价格：￥0.90340 查看详情 查看数据资料 | 制造商：DIODES 最优价格：￥0.53000 查看详情 | 制造商：DIODES 最优价格：￥3.33108 查看详情 查看数据资料 | |
| ECCN编码 | ||||
| 工作温度 | -55℃~+95℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃ |
| 功率 | 26W | - | - | - |
| 封装/外壳 | SMD-4 | SO-8_4.9X3.9MM | SOIC8_150MIL_EP | SOT96-1 |
| 回波损耗 | 20dB | - | - | - |
| 耦合系数 | 20dB | - | - | - |
| 插入损耗 | 0.075dB | - | - | - |
| Vgs(Max) | - | ±20V | ±20V | ±20V |
| 连续漏极电流 | - | 7A | 5.3A | 5.6A |
| 安装类型 | - | SMT | SMT | SMT |
| 晶体管类型 | - | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | - | 30V | 30V | 30V |
| 包装 | - | Tape/reel | Tape/reel | 剪切带（CT） ,带卷（TR） |
| 配置 | - | 单路 | 单路 | - |
| 阈值电压 | - | 2.4V | -2.1V | 1V@250µA |
| FET功能 | - | - | - | - |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | - | 34mΩ@7A,10V | 65mΩ@10V,5.3A | 40mΩ |
| 额定功率 | - | 3.1W | 2.5W | 1.9W |
| 技术路线 | - | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 引脚数 | - | 8Pin | 8Pin | - |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | - | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 系列 | - | - | - | - |
| 功率耗散 | - | 3.1W | 2.5W | 1.9W |
| 零件状态 | - | Active | Active | Active |
| 是否无铅 | - | No | Yes | Yes |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | - | 4.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | - |
| 充电电量 | - | 16nC | 4nC | - |
| 极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 制造商标准提前期 | - | 16 周 | 16 周 | 12 周 |
| 长x宽/尺寸 | - | 4.90 x 3.90mm | 4.95 x 3.90mm | - |
| 高度 | - | 1.50mm | 1.75mm | - |
| 输入电容 | - | 910pF | 336pF | 1.022nF |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 2500pcs | - |
| 品牌 | - | AOS | DIODES | - |
| 类型 | - | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 漏极电流 | - | - | 5.3A | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | - | 4.0nC | 29.6nC |
| 反向传输电容Crss | - | - | 49pF | - |
| 存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
| 无卤 | - | - | Yes | - |
| 元件生命周期 | - | - | Active | - |
| 原始制造商 | - | - | Diodes Incorporated | - |
| 原产国家 | - | - | America | - |
| 击穿电压 | - | - | -30V | - |
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