制造商:Vishay 最优价格:¥1.54990 查看详情 查看数据资料 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.89599 查看详情 查看数据资料 | 制造商:ON 最优价格:¥0.30317 查看详情 | 制造商:DIODES 最优价格:¥0.28500 查看详情 | |
ECCN编码 | ||||
漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 12V |
连续漏极电流 | 3.5A | 700mA | 1.13A | 4A |
晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
阈值电压 | 3V@250µA | 3V@1mA | 3V@250µA | 1V |
包装 | 剪切带(CT) ,带卷(TR) | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
FET功能 | - | - | - | - |
封装/外壳 | SOT346 | SC59 | SOT-23 | SOT-23 |
工作温度 | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) |
湿气敏感性等级 (MSL) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) | 1(无限) |
系列 | TrenchFET® | - | - | - |
功率耗散 | 1.1W,1.8W | 500mW | 400mW | 800mW |
零件状态 | 在售 | Active | Active | Active |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | 4.5V,10V | 4.5V,10V | - |
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值) | 88毫欧@3.5A,10V | - | 200毫欧@1.95A,10V | 31毫欧@4A,4.5V |
长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm |
高度 | 1.00mm | 1.40mm | 1.00mm | 1.00mm |
输入电容 | 340pF@15V | 160pF@10V | 200pF@15V | 1.357nF |
引脚数 | 3Pin | - | 3Pin | 3Pin |
脚间距 | 1.9mm | - | - | - |
制造商标准提前期 | 17 周 | 8 周 | 20 周 | 8 周 |
额定功率 | 1.1W,1.8W | 500mW | 400mW | 800mW |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 88mΩ@10V,3.5A | 250mΩ@10V,400mA | 200mΩ@10V,1.95A | 31mΩ@4.5V,4A |
是否无铅 | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | Yes | Yes | Yes |
类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
栅极电荷(Qg) | - | - | - | 15.8nC |
配置 | - | 单路 | 单路 | - |
极性 | - | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
栅极源极击穿电压 | - | ±20V | ±20V | ±8V |
品牌 | - | DIODES | ON | DIODES |
原始制造商 | - | Diodes Incorporated | ON Semiconductor Inc. | Diodes Incorporated |
漏极电流 | - | - | 1.13A | 4A |
存储温度 | - | - | -55℃~+150℃ | - |
印字代码 | - | - | TR2 M= = | - |
认证信息 | - | - | RoHS | - |
原产国家 | - | - | America | America |
元件生命周期 | - | - | Active | Active |
击穿电压 | - | - | 30V | - |
反向传输电容Crss | - | - | 50pF | 235pF |
充电电量 | - | - | 6nC | 15.8nC |
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