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SI2307CDS-T1-E3 与
DMP3130L-7、DMP3099L-7、DMP3030SN-7 的区别
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| ECCN编码 | ||||
| FET功能 | - | - | - | - |
| 封装/外壳 | SOT346 | SOT-23 | SOT-23 | SC59 |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | -55℃~+150℃(TJ) | -55℃~+150℃ | -65℃~+150℃ |
| Vgs(Max) | ±20V | ±12V | ±20V | ±20V |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V |
| 连续漏极电流 | 3.5A | 3A | 3.8A | 700mA |
| 晶体管类型 | P沟道 | P沟道 | P沟道 | P沟道 |
| 阈值电压 | 3V@250µA | 1.3V | 2.1V | 3V@1mA |
| 包装 | 剪切带（CT） ,带卷（TR） | Tape/reel | Tape/reel | Tape/reel |
| 安装类型 | SMT | SMT | SMT | SMT |
| 制造商标准提前期 | 17 周 | 8 周 | 8 周 | 8 周 |
| 脚间距 | 1.9mm | - | - | - |
| 极性 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 | P-沟道 |
| 是否无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes |
| 额定功率 | 1.1W,1.8W | 700mW | 1.08W | 500mW |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 88mΩ@10V,3.5A | 77mΩ@10V,4.2A | 65mΩ@10V,3.8A | 250mΩ@10V,400mA |
| 类型 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 | 1个P沟道 |
| 技术路线 | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） | 1（无限） |
| 系列 | TrenchFET® | - | - | - |
| 功率耗散 | 1.1W,1.8W | 700mW | 1.08W | 500mW |
| 零件状态 | Active | Active | Active | Active |
| 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn） | 4.5V，10V | 2.5V，10V | 4.5V，10V | 4.5V，10V |
| 长x宽/尺寸 | 2.95 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 2.90 x 1.30mm | 3.10 x 1.70mm |
| 输入电容 | 340pF@15V | 864pF | 563pF | 160pF@10V |
| 高度 | 1.00mm | 1.03mm | 1.00mm | 1.40mm |
| 引脚数 | 3Pin | 3Pin | 3Pin | - |
| 漏极电流 | - | 3.5A | 3.8A | - |
| 栅极电荷(Qg) | - | 24nC | 5.2nC | - |
| 栅极源极击穿电压 | - | ±12V | ±20V | ±20V |
| 反向传输电容Crss | - | 62pF | 41pF | - |
| 最小包装 | - | 3000pcs | 3000pcs | 3000pcs |
| 元件生命周期 | - | Active | Active | - |
| 原始制造商 | - | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated |
| 原产国家 | - | America | America | - |
| 充电电量 | - | 24nC | 5.2nC | - |
| 品牌 | - | DIODES | DIODES | DIODES |
| 配置 | - | - | - | 单路 |
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