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    SI2307CDS-T1-E3DMP3099L-7、DMP3030SN-7、NTR4502PT1G 的区别

    SI2307CDS-T1-E3

    制造商:Vishay

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    DMP3099L-7

    制造商:DIODES

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    DMP3030SN-7

    制造商:DIODES

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    NTR4502PT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    FET功能----
    封装/外壳SOT346SOT-23SC59SOT-23
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-65℃~+150℃-55℃~+150℃
    Vgs(Max)±20V±20V±20V±20V
    漏源电压(Vdss)30V30V30V30V
    连续漏极电流3.5A3.8A700mA1.13A
    晶体管类型P沟道P沟道P沟道P沟道
    阈值电压3V@250µA2.1V3V@1mA3V@250µA
    包装剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reelTape/reel
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    极性P-沟道P-沟道P-沟道P-沟道
    是否无铅YesYesYesYes
    额定功率1.1W,1.8W1.08W500mW400mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)88mΩ@10V,3.5A65mΩ@10V,3.8A250mΩ@10V,400mA200mΩ@10V,1.95A
    类型1个P沟道1个P沟道1个P沟道1个P沟道
    技术路线MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)1(无限)1(无限)
    系列TrenchFET®---
    功率耗散1.1W,1.8W1.08W500mW400mW
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V4.5V,10V
    长x宽/尺寸2.95 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.10 x 1.70mm2.90 x 1.30mm
    输入电容340pF@15V563pF160pF@10V200pF@15V
    高度1.00mm1.00mm1.40mm1.00mm
    引脚数3Pin3Pin-3Pin
    制造商标准提前期17 周8 周8 周20 周
    脚间距1.9mm---
    漏极电流-3.8A-1.13A
    栅极电荷(Qg)-5.2nC--
    栅极源极击穿电压-±20V±20V±20V
    反向传输电容Crss-41pF-50pF
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    充电电量-5.2nC-6nC
    元件生命周期-Active-Active
    原始制造商-Diodes IncorporatedDiodes IncorporatedON Semiconductor Inc.
    品牌-DIODESDIODESON
    原产国家-America-America
    配置--单路单路
    击穿电压---30V
    存储温度----55℃~+150℃
    印字代码---TR2 M= =
    认证信息---RoHS
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