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    IXDN604SIATRLM258DR2G、LM258DR 的区别

    IXDN604SIATR

    制造商:IXYS

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    LM258DR2G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.32256

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    LM258DR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.38081

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    ECCN编码
    引脚数8Pin8Pin8Pin
    工作电压4.5V~35V--
    通道类型Independent--
    输出类型---
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳SOIC-8SOIC-8SOIC-8
    高度1.38mm1.75mm1.75mm
    输入类型Non-Inverting--
    工作温度-40℃~+125℃-25℃~+85℃-25℃~+85℃
    驱动器数2--
    栅极类型IGBT, N通道, P通道 MOSFET--
    品牌IXYSONTI
    原始制造商IXYS CorporationON Semiconductor Inc.Texas Instruments Incorporated
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm
    工作电流-1.5mA1mA
    输入失调电压(Vos)-5mV3mV
    输入偏置电流-45nA20nA
    增益带宽积(GBP)-1MHz700KHz
    包装-Tape/ReelTape/Reel
    输出电流-40mA40mA
    电源电压,单/双(±)-3V~32V,±1.5V~±16V3V~32V,±1.5V~16V
    每个通道的输出电流-40mA30mA
    电源电压-32V3V~30V
    通道数-22
    元件生命周期-ActiveActive
    最小包装-2500pcs2500pcs
    共模抑制比 - CMRR-85dB80dB
    原产国家-AmericaAmerica
    放大器类型-通用通用
    压摆率--300mV/μs
    输入失调电压温漂(Vos TC)--7uV/℃
    存储温度---65~+150℃
    脚间距--1.27mm
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