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    IXDN604SIATRLM258DR、LM258DR2G 的区别

    IXDN604SIATR

    制造商:IXYS

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    LM258DR

    制造商:TI

    最优价格:¥0.38081

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    LM258DR2G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.32256

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    ECCN编码
    引脚数8Pin8Pin8Pin
    工作电压4.5V~35V--
    通道类型Independent--
    输出类型---
    安装类型SMTSMTSMT
    封装/外壳SOIC-8SOIC-8SOIC-8
    长x宽/尺寸4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm4.90 x 3.90mm
    高度1.38mm1.75mm1.75mm
    输入类型Non-Inverting--
    工作温度-40℃~+125℃-25℃~+85℃-25℃~+85℃
    驱动器数2--
    栅极类型IGBT, N通道, P通道 MOSFET--
    品牌IXYSTION
    原始制造商IXYS CorporationTexas Instruments IncorporatedON Semiconductor Inc.
    输出电流-40mA40mA
    压摆率-300mV/μs-
    包装-Tape/ReelTape/Reel
    增益带宽积(GBP)-700KHz1MHz
    输入失调电压(Vos)-3mV5mV
    输入偏置电流-20nA45nA
    工作电流-1mA1.5mA
    每个通道的输出电流-30mA40mA
    电源电压,单/双(±)-3V~32V,±1.5V~16V3V~32V,±1.5V~±16V
    最小包装-2500pcs2500pcs
    输入失调电压温漂(Vos TC)-7uV/℃-
    存储温度--65~+150℃-
    放大器类型-通用通用
    脚间距-1.27mm-
    通道数-22
    原产国家-AmericaAmerica
    电源电压-3V~30V32V
    共模抑制比 - CMRR-80dB85dB
    元件生命周期-ActiveActive
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