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    NRVS1MFL2N7002E-7-F、2V7002LT1G、2N7002-TP 的区别

    NRVS1MFL

    制造商:ON

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.30849

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.05559

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    ECCN编码
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR1μA---
    平均整流电流1A---
    反向峰值电压(最大值)1KV---
    正向压降VF1.1V---
    封装/外壳SOD-123FSOT-23SOT-23SOT-23
    二极管配置独立式---
    包装Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reelTape/reel
    反向耐压VR1KV---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)2µs---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm1.10mm1.11mm1.12mm
    总电容C4pF---
    长x宽/尺寸2.60 x 1.60mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm
    原产国家America-AmericaAmerica
    原始制造商ON Semiconductor Inc.-ON SemiconductorMicro Commercial Components
    系列Automotive, AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101-
    品牌OnsemiDIODESONMCC
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    正向压降VF Max1.1V---
    Vgs(Max)-±20V±20V-
    连续漏极电流-250mA115mA115mA
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V@250µA2.5V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    制造商标准提前期-12 周26 周8 周
    是否无铅-YesYesYes
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5V,10V5V,10V
    功率耗散-370mW225mW200mW
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    额定功率-370mW225mW200mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA
    输入电容-50pF@25V50pF@25V50pF@25V
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    漏极电流--115mA-
    栅极电荷(Qg)----
    配置--单路单路
    反向传输电容Crss--5pF5pF@25V
    存储温度---55℃~+150℃-
    最小包装--3000pcs3000pcs
    印字代码--702 M= =-
    认证信息--RoHS-
    栅极源极击穿电压--±20V-
    击穿电压--60V-
    元件生命周期---Active
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