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    NRVS1MFL2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F、2V7002LT1G 的区别

    NRVS1MFL

    制造商:ON

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    反向峰值电压(最大值)1KV---
    正向压降VF1.1V---
    封装/外壳SOD-123FSOT-23SOT-23SOT-23
    二极管配置独立式---
    包装Tape/ReelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) Tape/reel
    反向耐压VR1KV---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)2µs---
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR1μA---
    平均整流电流1A---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    总电容C4pF---
    高度1.10mm1.15mm1.10mm1.11mm
    长x宽/尺寸2.60 x 1.60mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    原产国家AmericaAmerica-America
    系列Automotive, AEC-Q101Automotive,AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Diodes Incorporated-ON Semiconductor
    品牌OnsemiDIODESDIODESON
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    正向压降VF Max1.1V---
    栅极电荷(Qg)-0.233nC--
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    阈值电压-2.5V2.5V@250µA2.5V@250µA
    连续漏极电流-170mA250mA115mA
    元件生命周期-Active--
    最小包装-3000pcs-3000pcs
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5,10V4.5V,10V5V,10V
    击穿电压-60V-60V
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    栅极源极击穿电压-±20V-±20V
    输入电容-50pF50pF@25V50pF@25V
    功率耗散-370mW370mW225mW
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    额定功率-370mW370mW225mW
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA7.5Ω@10V,500mA
    FET功能----
    制造商标准提前期--12 周26 周
    是否无铅--YesYes
    湿气敏感性等级 (MSL)--1(无限)1(无限)
    漏极电流---115mA
    配置---单路
    印字代码---702 M= =
    认证信息---RoHS
    反向传输电容Crss---5pF
    存储温度----55℃~+150℃
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