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    NRVS1MFL2N7002ET1G、2N7002Q-7-F、2N7002E-7-F 的区别

    NRVS1MFL

    制造商:ON

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.10095

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    2N7002Q-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.17594

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    2N7002E-7-F

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.13104

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    ECCN编码
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃(TJ)-55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)2µs---
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR1μA---
    平均整流电流1A---
    反向峰值电压(最大值)1KV---
    正向压降VF1.1V---
    封装/外壳SOD-123FSOT-23SOT-23SOT-23
    二极管配置独立式---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    反向耐压VR1KV---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm1.11mm1.15mm1.10mm
    总电容C4pF---
    长x宽/尺寸2.60 x 1.60mm2.90 x 1.30mm2.90 x 1.30mm3.00 x 1.40mm
    原产国家AmericaAmericaAmerica-
    原始制造商ON Semiconductor Inc.ON SemiconductorDiodes Incorporated-
    系列Automotive, AEC-Q101-Automotive,AEC-Q101-
    品牌OnsemiONDIODESDIODES
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    正向压降VF Max1.1V---
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V±20V±20V
    栅极电荷(Qg)-0.81nC0.233nC-
    连续漏极电流-260mA170mA250mA
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    配置-单路--
    制造商标准提前期-26 周-12 周
    是否无铅-Yes-Yes
    击穿电压-60V60V-
    栅极源极击穿电压-±20V±20V-
    输入电容-26.7pF50pF50pF@25V
    反向传输电容Crss-2.9pF--
    充电电量-0.81nC--
    功率耗散-300mW370mW370mW
    存储温度--55℃~+150℃--
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    额定功率-300mW370mW370mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-2.5Ω@10V,240mA5Ω@500mA,10V3Ω@10V,250mA
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)-1(无限)
    最小包装-3000pcs3000pcs-
    认证信息-RoHS--
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-4.5V,10V5,10V4.5V,10V
    元件生命周期-ActiveActive-
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
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