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    NRVS1MFL2V7002LT1G、2N7002-TP、2N7002ET1G 的区别

    NRVS1MFL

    制造商:ON

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    2V7002LT1G

    制造商:ON

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    2N7002-TP

    制造商:MCC

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    2N7002ET1G

    制造商:ON

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    ECCN编码
    封装/外壳SOD-123FSOT-23SOT-23SOT-23
    二极管配置独立式---
    包装Tape/ReelTape/reelTape/reelTape/reel
    反向耐压VR1KV---
    安装类型SMTSMTSMTSMT
    工作温度-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃-55℃~+150℃
    反向恢复时间(trr)2µs---
    速度Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)---
    二极管类型Standard---
    反向漏电流IR1μA---
    平均整流电流1A---
    反向峰值电压(最大值)1KV---
    正向压降VF1.1V---
    长x宽/尺寸2.60 x 1.60mm2.90 x 1.30mm3.04 x 1.40mm2.90 x 1.30mm
    原产国家AmericaAmericaAmericaAmerica
    原始制造商ON Semiconductor Inc.ON SemiconductorMicro Commercial ComponentsON Semiconductor
    系列Automotive, AEC-Q101Automotive,AEC-Q101--
    品牌OnsemiONMCCON
    零件状态ActiveActiveActiveActive
    正向压降VF Max1.1V---
    引脚数2Pin3Pin3Pin3Pin
    高度1.10mm1.11mm1.12mm1.11mm
    总电容C4pF---
    FET功能----
    Vgs(Max)-±20V-±20V
    漏极电流-115mA--
    栅极电荷(Qg)---0.81nC
    配置-单路单路单路
    阈值电压-2.5V@250µA2.5V2.5V@250µA
    连续漏极电流-115mA115mA260mA
    晶体管类型-N沟道N沟道N沟道
    漏源电压(Vdss)-60V60V60V
    是否无铅-YesYesYes
    印字代码-702 M= =--
    认证信息-RoHS-RoHS
    额定功率-225mW200mW300mW
    导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)-7.5Ω@10V,500mA1.2Ω@10V,500mA2.5Ω@10V,240mA
    类型-1个N沟道1个N沟道1个N沟道
    输入电容-50pF@25V50pF@25V26.7pF
    极性-N-沟道N-沟道N-沟道
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn)-5V,10V5V,10V4.5V,10V
    栅极源极击穿电压-±20V-±20V
    击穿电压-60V-60V
    技术路线-MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)MOSFET (Metal Oxide)
    反向传输电容Crss-5pF5pF@25V2.9pF
    功率耗散-225mW200mW300mW
    存储温度--55℃~+150℃--55℃~+150℃
    制造商标准提前期-26 周8 周26 周
    湿气敏感性等级 (MSL)-1(无限)1(无限)1(无限)
    最小包装-3000pcs3000pcs3000pcs
    元件生命周期--ActiveActive
    充电电量---0.81nC
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