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    SMMBT3906LT1G1N4007-E3/54、BYV26E、1N4007G-T 的区别

    SMMBT3906LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.19280

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    1N4007-E3/54

    制造商:Vishay

    最优价格:¥0.16950

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    BYV26E

    制造商:EIC

    最优价格:

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    1N4007G-T

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.15416

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    ECCN编码
    封装/外壳SOT-23DO-41(DO-204AL)DO-204ALDO-41(DO-204AL)
    工作温度-65℃~+150℃(TJ)---
    晶体管类型PNP---
    配置单路---
    集射极击穿电压Vce(Max)40V---
    Vce饱和压降400mV---
    跃迁频率250MHz---
    DC电流增益(hFE)300---
    包装Tape/reelTape/Reel-Tape/Reel
    安装类型SMT插件-插件
    发射极与基极之间电压 VEBO5V---
    额定功率300mW---
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))40V---
    引脚数3Pin2Pin-2Pin
    集电极-基极电压(VCBO)40V---
    元件生命周期ActiveActive--
    集电极电流 Ic200mA---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)1(无限)-1(无限)
    极性PNP---
    品牌ONVishay-DIODES
    零件状态ActiveActive-Active
    印字代码2A---
    原产国家AmericaAmerica-America
    系列----
    原始制造商ON Semiconductor Inc.Vishay Intertechnology, Inc.-Diodes Incorporated
    集电极截止电流 (Icbo)----
    最小包装3000pcs5500pcs-5000pcs
    高度1.11mm8.85mm-2.72mm
    制造商标准提前期12 周10 周-6 周
    存储温度-65℃~+150℃-55℃~+150℃--
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mmΦ2.70 x 5.20mm-Φ2.72 x 5.21mm
    功率耗散300mW---
    是否无铅YesYes-Yes
    特征频率(fT)250MHz---
    二极管配置-单路--
    二极管类型-标准Avalanche-
    速度-标准恢复>500ns,>200mA(Io)Fast Recovery =< 500ns,> 200mA(Io)-
    反向峰值电压(最大值)-1KV--
    反向耐压VR-1KV1000V1KV
    正向压降VF-1.1V2.5V@1A1V
    反向漏电流IR-5μA5μA@1KV5μA
    平均整流电流-1A1A1A
    工作温度-结--50°C~150°C-65℃~+175℃-65°C~175°C
    脚间距-9.3mm-9.27mm
    正向压降VF Max-1.1V-1V
    非重复峰值浪涌电流 (Ifsm)-30A--
    总电容C-15pF--
    反向恢复时间(trr)--75ns2µs
    Vf正向峰值电压--2.5V @ 1 A-
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