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    SMMBT3906LT1GBYV26E、1N4007G-T、UF4007GP-TP 的区别

    SMMBT3906LT1G

    制造商:ON

    最优价格:¥0.19280

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    BYV26E

    制造商:EIC

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    1N4007G-T

    制造商:DIODES

    最优价格:¥0.15416

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    UF4007GP-TP

    制造商:MCC

    最优价格:¥0.10081

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    ECCN编码
    配置单路---
    集射极击穿电压Vce(Max)40V---
    Vce饱和压降400mV---
    跃迁频率250MHz---
    DC电流增益(hFE)300---
    包装Tape/reel-Tape/Reel剪切带(CT) ,带卷(TR) 
    安装类型SMT-插件插件
    封装/外壳SOT-23DO-204ALDO-41(DO-204AL)DO-41(DO-204AL)
    工作温度-65℃~+150℃(TJ)---55℃~+150℃(TJ)
    晶体管类型PNP---
    湿气敏感性等级 (MSL)1(无限)-1(无限)1(无限)
    极性PNP---
    品牌ON-DIODES-
    零件状态Active-ActiveActive
    印字代码2A---
    原产国家America-America-
    系列----
    原始制造商ON Semiconductor Inc.-Diodes Incorporated-
    集电极截止电流 (Icbo)----
    最小包装3000pcs-5000pcs5000pcs
    高度1.11mm-2.72mm2.35mm
    制造商标准提前期12 周-6 周8 周
    存储温度-65℃~+150℃---
    长x宽/尺寸2.90 x 1.30mm-Φ2.72 x 5.21mm4.65 x 2.35mm
    功率耗散300mW---
    是否无铅Yes-YesYes
    特征频率(fT)250MHz---
    发射极与基极之间电压 VEBO5V---
    额定功率300mW---
    集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))40V---
    引脚数3Pin-2Pin2Pin
    集电极-基极电压(VCBO)40V---
    元件生命周期Active---
    集电极电流 Ic200mA---
    反向漏电流IR-5μA@1KV5μA5μA@1KV
    反向恢复时间(trr)-75ns2µs75ns
    速度-Fast Recovery =< 500ns,> 200mA(Io)-快速恢复=<500ns,>200mA(Io)
    二极管类型-Avalanche-标准
    反向耐压VR-1000V1KV1KV
    平均整流电流-1A1A1A
    正向压降VF-2.5V@1A1V1.7V
    工作温度-结--65℃~+175℃-65°C~175°C-55°C~150°C
    Vf正向峰值电压-2.5V @ 1 A--
    正向压降VF Max--1V-
    脚间距--9.27mm-
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